behlke經(jīng)典高壓開(kāi)關(guān)HTS 301-20-GSM

Behlke 開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)

經(jīng)營(yíng) 電壓范圍:500V至200kV

峰電流從15到16,000 安培(pk)

di/dt 5至32 kA/μs(取決于類(lèi)型)

上升時(shí)間低至0.8ns(類(lèi)型取決于)

傳播延遲時(shí)間短，抖動(dòng)低

連續(xù)工作頻率高達(dá)3MHz

爆裂頻率。高達(dá)10 MHz(取決于類(lèi)型)

高達(dá)200 kVDC的安全電氣隔離

通過(guò)簡(jiǎn)單的TTL信號(hào)(3-6V)輕松控制

有源輸入濾波器，具有出色的EMC性能

不短脈沖時(shí)的危險(xiǎn)不穩(wěn)定性

內(nèi)部時(shí)鐘同步以實(shí)現(xiàn)低EMI

帶快速熱觸發(fā)器的安全電路

故障信號(hào)輸出和禁止輸入(TTL)

保證溫度范圍-40...70C

各種被動(dòng)和主動(dòng)冷卻選項(xiàng)

用于固定和可變導(dǎo)通時(shí)間的開(kāi)關(guān)

半橋和全橋開(kāi)關(guān)(推挽式)

高性?xún)r(jià)比放電開(kāi)關(guān)

所有開(kāi)關(guān)均可用于直流和交流

高度可靠-5年保修

注意：

快速推挽開(kāi)關(guān)（半橋）對(duì)反向電流非常敏感 來(lái)自感性負(fù)載或增加的布線電感。

反向電流 可能以未定義的方式導(dǎo)通本征（寄生）MOSFET二極管。 這可能導(dǎo)致電橋開(kāi)關(guān)路徑內(nèi)發(fā)生短路 

災(zāi)難性失敗的進(jìn)一步結(jié)果。

請(qǐng)始終確保 沒(méi)有電流擺回開(kāi)關(guān)的輸出端。這應(yīng)該得到驗(yàn)證 通過(guò)示波器在最大實(shí)際工作電壓的 10% 下進(jìn)行測(cè)量。 

請(qǐng)始終連接足夠的緩沖電容器（最好是陶瓷 類(lèi)型）直接輸入高壓并使用足夠的串聯(lián)阻尼 長(zhǎng)輸出接線情況下的電阻器。

MOSFET開(kāi)關(guān)上的感性負(fù)載 始終需要快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(luò)（串行阻斷二極管 + 并聯(lián)續(xù)流二極管）。

這種保護(hù)二極管網(wǎng)絡(luò)可以 通過(guò)BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管安裝在外部。

 它也可以作為選件 I-FWDN 集成到開(kāi)關(guān)模塊中。 

功率系列，經(jīng)典硅 FET。 堅(jiān)固耐用且 采用 LC2 驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的瞬態(tài)證明。對(duì)于高電容， 電阻和感性負(fù)載。

HTS 81-10-GSM

HTS 81-20-GSM

HTS 121-10-GSM

HTS 121-20-GSM

HTS 151-10-GSM

HTS 151-20-GSM

HTS 201-10-GSM

HTS 201-20-GSM

HTS 241-10-GSM

HTS 241-20-GSM

HTS 301-10-GSM

HTS 301-20-GSM

HTS 301-20-GSM技術(shù)參數(shù)

塑料法蘭外殼。堅(jiān)固的 LC2 技術(shù)。可選最高 200 kV 隔離電壓。

電壓[kV] 2 x 30

電流[A] 2 x 200

電阻[Ω] 2 x 7

導(dǎo)通時(shí)間[ns] 250…∞

尺寸[mm 3] 300 x 150 x 68

behlke經(jīng)典高壓開(kāi)關(guān)HTS 301-20-GSM